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元件参数资料
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参数目录40457
> NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363
型号:
NTJD4152PT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
NTJD4152PT1G PDF
产品目录绘图
MOSFET SOT-363 Pkg
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
880mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
260 毫欧 @ 880mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
155pF @ 20V
功率 - 最大
272mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装
SOT-363
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTJD4152PT1GOSTR
查看NTJD4152PT1G代理商
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